产品用途

PECVD系统(等离子增强化学气相沉积系统)由管式炉、真空获得、流量控制和射频电源四大模块组成，本设备借助13.56Mhz的射频输出使含有薄膜组成原子的气体电离，在真空腔体内形成等离子体，利用等离子的强化学活性，改善反应条件，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术，最终得到基片上沉积出所期望的薄膜，适用于1200℃条件下进行Si02、SiNx薄膜的沉积。

产品描述

l PECVD管式炉系统由管式炉、真空获得、流量控制和射频电源组成。

l 管式炉可选择不同的管径和恒温区的长度，炉管两端装有高真空不锈钢密封法兰。

l 真空获得系统可根据试验要求选择不同的真空泵，旋片式机械真空泵真空度≤5Pa，分子泵真空机组真空度1x10^-4Pa，气路供气系统可选择3路浮子手动和3路自动质量流量系统。

l 真空测量为数字复合真空机或皮拉尼真空计。

l 等离子体放电选择13.56Mhz的设备电源，功率输出可选择200W、300W和500W。

l 管式炉可选择单温区300mm和440mm，也可选择三温区或多温区进行温度的梯度试验。

l 温控器内置的RS485数字通信端口和USB适配器作为可选配置，可连接PC，用于系统的远程控制和监视，还可以保存或导出测试结果。

l 产品符合欧盟CE标准。

产品特点

l 炉膛材料：温法真空抽滤成型制备的多晶无机氧化铝陶瓷纤维材料。

l 炉管材料：1200℃采用石英管。

l 温控仪表：智能微电脑PID温控仪表，SCR/SSR控制，PID参数自整定功能；可编程序30个时段，程序升温、程序保温、程序降温。

l 升温速度：1-25℃/min自由调节。

l 炉体结构：炉膛温控一体式结构，炉膛开合式；双层外壳，空气循环隔热。

l 密封性能：炉管两端装有不锈钢金属法兰，配套亮温PTFE垫圈，可在真空下进行工作，真空度≤5Pa(旋片式真空泵)。

l 射频电源：频率13.56MHz±0.005%，功率5-500W，功率稳定性±0.5%。

l 气体控制：可选择3路浮子手动，量程60-600ml/min；3路自动质量流量系统，量程1-500sccm。

l 气氛性能：法兰两端有进气口和出气口，压力表装在金属法兰上，精密针型阀可调节进气和出气量，可通入氮气、氩气、氢气等气体。

l 气路接口：KF25真空挡板阀和KF25不锈钢波纹管连接真空泵；保护气氛6mm不锈钢卡套接头和PTFF管路。

l 设备保护：模块化控制，对工作过程中的超温、断偶会发出声光报警信号，并自动完成保护动作。

l 安全保护：在设备上装有空开断路器，如发生短路漏电情况时会自动弹开，能保护设备和提作人员的安全。

技术参数