本设备专为大专院校、科研机构及小型研发实验室设计,基于热蒸发镀膜技术,在真空环境中通过加热使靶材汽化,经气相沉积在基片表面形成均匀薄膜。可处理材料包括:
· 金属材料(如铜、铝、金、银等低熔点金属);
· 半导体材料(如硅、锗等);
· 有机材料(如有机发光分子、聚合物);
· 氧化物 / 盐类(如二氧化硅、氯化钠等易挥发化合物)。
设备适用于制备以下功能薄膜:
· 电子信息领域:微电子器件电极膜、柔性电子导电层;
· 光学领域:光学元件增透膜、反射膜、红外滤光膜;
· 生物医学领域:生物传感器涂层、可控降解薄膜;
· 基础研究领域:纳米材料包覆层、二维材料异质结界面层。
1.高效沉积能力
· 热蒸发技术优势:通过电阻加热或电子束加热靶材,直接汽化材料并沉积,工艺简单,适合高纯度薄膜制备;
· 沉积速率可调:通过控制加热功率(0-1000W)和蒸发时间,薄膜厚度可精确控制在纳米至微米级,均匀性误差<3%。
2.智能工艺控制
· 自动化流程:搭载PLC控制系统,支持预设10组以上工艺程序,一键启动后自动完成抽真空→加热蒸发→冷却→破真空全流程;
· 精准温控系统:基片台配备加热模块(最高温度300℃),支持恒温或梯度温度控制,优化薄膜附着力与结晶质量。
3.灵活真空环境
· 高真空性能:采用机械泵 + 扩散泵组合,极限真空度可达5×10⁻³ Pa,减少气体分子对薄膜的污染;
· 气氛兼容性:支持通入惰性气体(如 Ar、N₂)进行保护沉积,或反应气体(如 O₂、NH₃)实现原位改性。
4.人性化设计
· 可视化操作:配备彩色触摸屏,实时显示真空度、温度、加热功率等参数,支持数据存储与 USB 导出;
· 安全防护:设有真空联锁、过热保护、漏电监测等功能,保障人员与样品安全;
· 维护便捷:蒸发源采用快拆式结构,靶材更换与腔体清洁可在15 分钟内完成。
5.扩展性配置
· 可选升级模块:
· 膜厚监控仪(石英晶体振荡法):实时监测薄膜生长速率与厚度;
· 多源蒸发组件:支持2-4个独立蒸发源,实现多层膜或合金膜制备;
· 基片旋转装置(转速0-150 rpm):提升薄膜均匀性,适用于大面积基片。
类别 | 具体配件 | 功能说明 |
靶材组件 | 高纯金属蒸发源、陶瓷舟皿 | 提供不同材质蒸发载体,支持定制化尺寸(直径 50-100mm) |
基片处理 | 基片加热 / 冷却模块 | 加热温度范围:室温 - 300℃,冷却速率:5-15℃/min |
检测分析 | 膜厚监控仪、台阶仪 | 实时监测厚度,测量薄膜表面粗糙度与轮廓 |
自动化升级 | 机械手臂自动换样系统 | 支持 6-8 片基片批量装载,实现无人值守连续镀膜 |
1. 微电子制造:在硅基片上蒸发金电极,用于 MEMS 器件制备;
2. 光学镀膜:在玻璃基板上交替蒸发 SiO₂和 TiO₂,制备可见光谱增透膜;
3. 柔性电子:在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上蒸发银纳米颗粒导电膜;
4. 科研实验:在云母片上蒸发二硒化钼(MoSe₂)纳米层,用于二维材料器件研究。
· 多功能性:支持单源蒸发、多源共蒸发及反应蒸发,适配多样化研究需求;
· 高精度控制:真空度、温度、蒸发速率等参数误差<2%,实验重复性优异;
· 低能耗设计:采用节能型加热电源,能耗比传统设备降低 15%,适合长时间运行。