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钙钛矿镀膜设备

设备用途 :适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等。

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钙钛矿镀膜设备

设备用途 :

适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等,可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作,也可用于大批量生产前的试验工作。OPV系列真空蒸发镀膜与手套箱联合系统的用户群体为科研院所及实验室,将真空蒸发系统工作室置于Glove box无水、无氧、无尘的超纯环境中,PVD与Glove box硬件无缝对接,操控融合一体,广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域

设备组成:

    该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。

技术要求:

1、镀膜室:镀膜腔室尺寸约为600×450×450mm,不锈钢材料,方形前后开门结构,内带有防污板;

2、抽气系统:采用分子泵+机械泵抽气系统;

2.1、真空度:镀膜室的极限真空≤6×10-4Pa;

2.2、系统漏率≤1×10-7PaL/s。

3、蒸发源系统:

3.1、有机源蒸发源4个,容积5ml,2台蒸发电源,可测温控温,加热温度400℃,功率0.5Kw;

3.2、挡板:蒸发源挡板采用自动磁力控制方式,控制其开启;

3.3、安装:蒸发源安装在真空室的下底上。

4、样品架系统:

4.1、样品架可放置大小为Φ120mm的样品,载玻片;

4.2、样品架可旋转,旋转速度为:0~30转/分;

4.3、安装:样品安装在真空室的上盖上,蒸发源安装在真空室的下盖上,向上蒸发镀膜,蒸发源都带有挡板装置。

5、样品在镀膜过程中,带有烘烤加热功能,**烘烤加热温度为:室温~180℃,测温控温。

6、设备带有断水断电连锁保护**装置、防误操作保护**装置。

7、无机蒸发源4套、容积5ml,2台蒸发电源,加热电流300A,功率3.2Kw;

8、石英晶振膜厚控制仪:膜厚测量范围0-999999A。

钙钛矿镀膜设备 (2).jpg钙钛矿镀膜设备 (1).jpg

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