化学气相沉积CVD系统

　　化学气相沉积（CVD）系统是一个易于使用的系统，用于均匀沉积薄膜材料，包括半导体、碳化硅（SiC）、金属基板上的氧化物、碳化物、氮化物等。得到的薄膜表现出优异的均匀性和良好的阶梯覆盖。化学气相沉积（CVD）系统也可用于合成纳米材料，例如碳纳米管，石墨烯、半导体纳米线。

　　化学气相沉积（CVD）系统包括一个具有长均匀加热区的CVD炉、一个混合气体模块由质量流量计和真空模块控制。系统连接器使用不锈钢法兰和高温O形密封圈密封。炉子在滑动导轨便于移动，便于快速冷却。气体模块*多可混合三种气体由质量流量计监测的源。配备两级旋转式/分子真空泵，系统真空可达。

　　金属、半导体和介电材料至关重要电子设备组件（如**太阳能电池板、存储系统、计算机芯片和各种高性能工具）通常通过化学方法制造气相沉积。化学前体在这些方面起着非常关键的作用器件制造和Chemat提供了广泛的高纯度CVD用于这些应用的前体。这些前体是包装在不锈钢气泡中，可轻松连接到化学气相沉积系统。可用的前体有制造金属的金属醇盐、烷基酰胺和乙酰bing酮氧化物、氮化物和金属。

　　化学气相沉积（CVD）系统规格参数

　　炉子部分

　　zui大温度：1200℃

　　加热区域：270mm

　　均匀加热区域：100mm

　　石英管直径：40/60/80/100mm可选

　　石英管长度：1000mm

　　滑轨长度：820mm

　　气体混合模块

　　气源：3个

　　气源控制：质量流量计

　　范围：0-1 SLM

　　真空模块

　　真空：旋转/分子 2级泵

　　**真空：6x10^-3 Pa

　　真空显示：数字