三温区PECVD-1200℃

一、设备简介：

三温区1200C-PECVD高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品，其极低的热导率和比热容，保证了炉膛的快速升温和低蓄热，特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热，有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统，控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温，电力调制器控制；负载采用小电压大电流控制，从而大大提高了发热元件的寿命，测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID参数，无须操作人员的干预，可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号，同时系统设置了超温、欠温、断偶保护功能，大大降低了对操作人员经验的要求，关键电气元件采用进口产品，做到高性能、免维护，提高了设备质量的可靠性。

应用领域：本设备主要针对实验和中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。

二、设备参数：